芯片的核心元件晶体管，好比控制电流的“智能水龙头”▼△•。传统硅基芯片发展至今，晶体管尺寸逼近物理极限•▼，“水龙头关不紧”的漏电问题日益突出，不仅增加设备能耗-，更制约着人工智能等领域的算力提升。尤其是作为芯片“记忆核心”的

　　针对这一行业痛点△，复旦大学联合上海原集微科技▽○、长鑫存储等单位组建攻关团队，实现了创纪录的超低泄漏电流◇▼•，相当于9.15秒仅泄漏一个电子，在此基础上打造的新型DRAM存储芯片，在零保持电压下实现了超过8500秒的超长数据保持时间，同时兼顾高速读写与多容量存储能力▼△，大幅降低能耗的同时性能不打折★○。

　　这项技术的落地应用前景广阔●◇•。在移动设备★●、物联网终端等场景下，该存储芯片可显著延长续航时间△◇■，在人工智能算力中心，整体能耗也能大幅降低•◇=。更关键的是，这一独特优势可为存内计算架构提供硬件支撑，破解数据搬运效率低的“内存墙•…”难题。目前，该技术正加速推进与现有半导体工艺的兼容适配●-，为产业化落地铺路。

　　作为上海孵化的二维半导体初创企业，原集微科技依托复旦大学十余年科研积淀-，打通从材料制备到器件制造的完整工艺链条。此次突破验证了上海在二维半导体领域■◇•“产学研用”协同创新的成熟生态——从高校原创技术攻关，到本土企业推动工程化转化■◆，再到龙头企业协同验证△，形成了闭环创新体系。